Стали известны технические характеристики процессоров Qualcomm Snapdragon 835 и Snapdragon 660

Выяснилось, что чипсет Snapdragon 835 фактически имеет номер модели MSM8998, который мы видели в листинге на Zauba некоторое время назад. Только тогда чип, по слухам, называли Snapdragon 830. Основные технические характеристики новейшего чипа Snapdragon просочилась в сеть совсем недавно и стало известно, что он построен по 10 nm техпроцессу, в нем используется модернизированная версия 64-битной архитектуры Kyro 200 с четырьмя большими и четырьмя маленькими ядрами, тактовая частота которых пока не известна.


Кроме того, Snapdragon 835 оснащен новым графическим ускорителем Adreno 540, который, скорее всего, придаст чипу высокую производительность графики. Процессор также поддерживает LTE Cat.16 и может предложить высочайшую скорость загрузки до 1 Гбит. Набор микросхем SD835 также поддерживает четыре канала LPDDR4X-памяти, а также флэш-память стандарта UFS2.1.

Помимо Snapdragon 835, фото также раскрывает спецификации нового Qualcomm Snapdragon 660, построенного при помощи Samsung на 14 nm производственном процессе FinFET LPP. Snapdragon 660 имеет максимальную тактовую частоту 2,2 ГГц, а также оснащен GPU Adreno 512. Чип также поддерживает два канала памяти LPDDR4X и флэш-память стандарта UFS2.1.

Чипсет Snapdragon 835 поступит в производство в первом квартале 2017 года, и его первое применение по прогнозам, будет на флагмане Samsung Galaxy S8, который будет представлен в следующем году на MWC. С другой стороны, чип Snapdragon 660 поступит в производство во втором квартале 2017 года.