
Набор микросхем Qualcomm Snapdragon 845 будет установлен на флагманские смартфоны, которые будут выпущены в 2018 году. Некоторые слухи утверждают, что он будет построен с применением 7-нм технологического процесса FinFET. Свежая информация, появившаяся в сети, свидетельствует о том, что Qualcomm может анонсировать Snapdragon 845 до конца этого года. По имеющимся данным, он будет построен с применением 10-нм процесса FinFET.
Набор микросхем Snapdragon 835, который построен по 10-нм техпроцессу FinFET, устанавливается в различные флагманские смартфоны этого года. Snapdragon 845, как ожидается, будет установлен в такие смартфоны, как Samsung Galaxy S9, LG G7, Xiaomi Mi 7 и т. д. По слухам, новинка станет 10-нм чипсетом второго поколения от Qualcomm.
Следует помнить о том, что производитель чипов из США не подтвердил название «845». Однако несколько месяцев назад ссылка на «SDM845» была найдена на одном из документов, которые Qualcomm представила в ITC при подаче иска против Apple.
Qualcomm объявила о выпуске чипсета Snapdragon 835 в ноябре 2016 года, а Samsung Galaxy S8 стал первым смартфоном с ним. Недавние сообщения показали, что Galaxy S9 и Galaxy S9+ могут появиться в качестве первых смартфонов с чипсетом Snapdragon 845.
Недавно южнокорейская компания объявила, что ее 8-нм техпроцесс FinFET LPP теперь готов к производству. Ожидается, что во второй половине 2018 года Samsung представит 7-нм литографическую технологию EUV (Extreme Ultra Violet). По слухам, дуэт Galaxy S9 также будет доступен с чипсетом Exynos 9810. Похоже, что новый чипсет Samsung прибудет с возможностями AI и будет построен с использованием 7-нм или 8-нм техпроцесса.
Что касается Snapdragon 845, предполагается, что он поступит с обновленными ядрами Kryo. Ожидается, что улучшенная графика Adreno будет оптимизирована для AR, VR и XR. Однако подтверждения возможностей AI в Snapdragon 845 пока нет.
Следует помнить о том, что производитель чипов из США не подтвердил название «845». Однако несколько месяцев назад ссылка на «SDM845» была найдена на одном из документов, которые Qualcomm представила в ITC при подаче иска против Apple.
Qualcomm объявила о выпуске чипсета Snapdragon 835 в ноябре 2016 года, а Samsung Galaxy S8 стал первым смартфоном с ним. Недавние сообщения показали, что Galaxy S9 и Galaxy S9+ могут появиться в качестве первых смартфонов с чипсетом Snapdragon 845.
Недавно южнокорейская компания объявила, что ее 8-нм техпроцесс FinFET LPP теперь готов к производству. Ожидается, что во второй половине 2018 года Samsung представит 7-нм литографическую технологию EUV (Extreme Ultra Violet). По слухам, дуэт Galaxy S9 также будет доступен с чипсетом Exynos 9810. Похоже, что новый чипсет Samsung прибудет с возможностями AI и будет построен с использованием 7-нм или 8-нм техпроцесса.
Что касается Snapdragon 845, предполагается, что он поступит с обновленными ядрами Kryo. Ожидается, что улучшенная графика Adreno будет оптимизирована для AR, VR и XR. Однако подтверждения возможностей AI в Snapdragon 845 пока нет.
Источник: www.gizmochina.com
Хотите всегда быть в курсе последних новостей из мира мобильных технологий?
Подписывайтесь на нашу RSS-ленту!